삼성전자, 세계 최초 GAA 기반 3나노 공정 양산 다음주 발표... "차질없이 진행"

산업일반 2022-06-22 11:30 이경호 기자
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한미 정상이 사인한 3나노 반도체 웨이퍼 시제품/사진=연합뉴스
[더파워 이경호 기자]
삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1m) 공정의 양산에 돌입한다.

삼성전자는 다음 주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 전해졌다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.

삼성 관계자는 "현재 3나노 양산 준비는 차질없이 진행되고 있고, 상반기 중 양산을 시작할 계획"이라고 말했다.

지난달 조 바이든 미국 대통령과 윤석열 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 두 정상은 GAA 기반 3나노 웨이퍼 시제품에 서명해 화제를 모았다.

그동안 삼성전자는 파운드리업체 1위 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해왔다.

업계에서는 삼성전자가 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 문제로 3나노 양산을 연기하는 것이 아니냐는 관측이 나왔다. 실제로 삼성전자는 올 초에도 초미세 공정 파운드리 수율 문제로 주요 고객사가 이탈하는 등 진통을 겪어왔다.

업계 관계자는 "삼성이 3나노 양산을 공식 발표한다는 것은 어느 정도 수율을 확보했다는 의미일 것"이라고 말했다.

대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 매출은 53억2천800만달러(약 6조4천256억원)로, 작년 4분기 대비 3.9% 감소했다.

삼성전자는 글로벌 파운드리 10대 주요 업체 가운데 1분기 매출액이 유일하게 뒷걸음쳤으며, 시장 점유율도 이 기간 18.3%에서 16.3%로 줄었다.

반면 TSMC는 같은 기간 11.3% 증가한 175억2천900만달러의 매출을 올려 점유율도 52.1%에서 53.6%로 늘어났다.

삼성이 수율 위기를 딛고 당초 계획대로 3나노 양산을 결정한 건, 파운드리 업계 1위를 향한 '기술 초격차' 의지로 해석된다. 지난 18일 이재용 부회장이 '기술 리더십'을 공고히 해 나가겠다는 단호한 의지를 담아 '기술'을 세 차례나 언급한 것과도 관련이 있다.

이 부회장은 유럽 출장을 마친 뒤 귀국길 공항에서 "아무리 생각해봐도 첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술"이라며 글로벌 경제위기에서 살아남기 위해서는 '초격차 기술'이 절실하다는 의지를 내비친 바 있다.

삼성전자는 3나노 양산을 계기로 시스템 반도체 분야에서도 세계 정상에 오르겠다는 '시스템 반도체 2030 비전'에 속도를 낸다는 계획이다.

삼성전자가 170억달러를 투입해 미국 텍사스주 테일러시에 건설할 제2 파운드리 공장도 사실상 공사에 들어갔다.

테일러시 파운드리 공장은 2024년 하반기 가동을 목표로 약 500만㎡(150만평) 규모로 조성되며, 완공되면 최첨단 시스템 반도체를 생산하게 된다.

업계 관계자는 "삼성이 TSMC와 격차를 줄이려면 삼성의 GAA 방식 3나노 공정이 앞으로 안정적인 수율을 보여주는 것이 관건이 될 것"이라고 말했다.

이경호 더파워 기자 news@thepowernews.co.kr
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