이재용 "기술 최우선" 결실... 삼성전자, 세계 최초 3나노 반도체 양산

산업일반 2022-06-30 14:33 이경호 기자
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삼성전자, 세계 최초 3나노 파운드리 양산/삼성전자 제공
[더파워 이경호 기자]
삼성전자가 오늘부터 세계 최초로 3나노 반도체 생산에 들어간다.

삼성전자는 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정 초도 양산을 시작했다고 30일 공식 발표했다.

반도체는 한정된 공간에 가능한 많은 칩을 얹어야 하는 초미세 공정의 싸움인데, 삼성전자가 세계 최초로 3나노 공정을 시작하면서 현재 4나노 기술보다 더 세밀한 회로를 그릴 수 있게 된 것이다.

반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 이 공정에선 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 삼성전자가 앞섰다. 지금까지 삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였다.

회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되는데 삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이뤄냈다.

특히 기존 핀펫 구조를 넘어선 차세대 GAA(게이트올어라운드) 구조가 적용된 3나노 공정으로도 전 세계에서 삼성전자가 유일하다.

삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고 면적은 16% 줄였다고 밝혔다. 2024년으로 예정된 GAA 2세대 공정에서는 전력을 50% 절감하면서 성능은 30% 끌어올리고 면적은 35% 축소할 전망이다.

반도체에서는 회로의 선폭이 가늘수록 한정된 공간에 더 많은 회로를 그릴 수 있어 하나의 웨이퍼(반도체 원판)에서 나오는 반도체 숫자도 늘어난다. 이를 통해 생산 효율성과 수익성, 제품의 성능을 높일 수 있기 때문에 미세공정 기술이 경쟁력으로 직결된다.

이번 3나노 공정은 첨단 파운드리 EUV(극자외선) 공정이 적용되는 삼성전자 화성캠퍼스 S3 라인에서 생산된다.

삼성전자는 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Performance Computing)용 시스템 반도체 양산에 3나노 공정을 우선 적용하고 향후 모바일 SoC(시스템온칩) 등으로 확대한다는 방침이다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 "삼성전자는 파운드리 업계 최초로 FinFET, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 GAA 기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스를 세계 최초로 제공하게 됐다"며 "앞으로도 차별화된 기술을 적극적으로 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 이번 3나노 양산을 계기로 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC 추격에 속도를 낸다는 계획이다.

대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 세계 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 53.6%로 1위였고, 삼성전자가 16.3%로 2위였다.

TSMC는 삼성전자에 이어 올해 하반기 중 3나노 반도체 양산을 시작하고, GAA 기술은 2나노 공정부터 적용할 계획인 것으로 알려졌다.

삼성전자는 이번 3나노 반도체 양산에 이어 2025년 GAA 기반 2나노 공정을 시작할 예정이다.

이경호 더파워 기자 news@thepowernews.co.kr
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