로이터 "삼성전자 HBM칩 아직 엔비디아 테스트 통과 못해"

(더파워뉴스=유연수 기자) 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)가 미국 반도체업체 엔비디아의 테스트를 아직 통과하지 못했다고 로이터가 24일 보도했다.

로이터는 소식통을 이용해 발열과 전력소비 문제로 인해 엔비다아의 테스트를 진행 중이라고 보도했다.

삼성전자는 5세대인 HBM3E를 엔비디아에 납품하기 위해 테스트를 진행 중이다. 하지만 승인 시간이 예상보다 지연되고 있다.

이에 대해 삼성전자는 “테스트는 여전히 진행 중으로 최종 결과가 나온 것이 아니다”는 입장을 밝혔다.

로이터는 “삼성은 지난해부터 HBM3와 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해 왔다”며 “최근 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 4월에 나왔다”고 했다.

이어 “문제가 쉽게 해결될 수 있는지 여부는 명확하지 않지만 엔비디아의 요구 사항을 충족하지 못하면서 삼성의 경쟁사인 SK 하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 있다”고 했다.

HBM은 D램을 여러층 쌓아 데이터 용량과 처리속도를 획기적으로 높인 반도체로, AI 가속기 핵심 부품으로 꼽힌다. SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 뒤, 삼성전자와 SK하이닉스가 시장을 양분하고 있다. 하지만 4세대인 HBM3부터 SK하이닉스가 AI 반도체의 큰손인 엔비디아에 독점 공급하면서 앞서나간다는 평가를 받고 있다.

삼성전자는 로이터에 HBM은 ‘고객 요구에 따른 최적화 프로세스’가 필요한 맞춤형 메모리 제품이라며 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 “최종 테스트 결정된 것 아니고 아직 진행 중이다”라며 “엔비디아와 조율하고 있어 언제 승인이 날지는 알 수 없는 상황이다”라고 말했다.